Описание
Вариант №3
1.3. Найдите контактную разность потенциалов при Т =310 К. Удельное сопротивление r — области германиевого p—n перехода rp = 3 Ом×см, а удельное сопротивление n — области rn = 2 Ом×см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,5×1013 см-3, 0,12 и 0,05 м2/В×С соответственно.
2.3. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p—n переход имеет обратный ток насыщения I0 = 3 мкА, а кремневый — I0 = 10-7 А. Причем через каждый диод протекает ток 200 ма.
3.3. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 200С и обратном напряжении U1=10 в равна С1 = 10 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении U2=10 в. собственная концентрация носителей заряда в кремнии ni = =1,5×1016 м-3, концентрация акцепторной примеси Nа =1020 м-3, концентрация донорной примеси Nд = 2×1020 м-3.
4.3. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 450С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,2 мА.
5.3. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы 0,15А и напряжением коллектора 10В.
6.3. Биполярный транзистор КТ 803 А работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ =20 В, ток базы IБ =75 ма, сопротивление нагрузки RH =10 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.
7.3. Транзистор p—n—p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора a =0,94 и обратный ток коллекторного перехода IКБО = 8 мкА.
8.3. Предельная частота тока эмиттера в схеме транзистора с общей базой fh21Б = 5 МГц, а коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах h21БО = = — 0,98. Определите модуль коэффициента передачи тока эмиттера на частоте 20 МГц.
9.3. Найти систему Y — параметров транзистора, если известна система его h — параметров: h11 = 30 кОм; h12 = 0,003; h21 = 30; h22 =3× 10-4Ом-1.
10.3. Привести схематическое обозначение транзистора 2Т908Б, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор 25 В, эмиттер 30 В, база 2 В. Ответ поясните.
11.3. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 в для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -3В, 5 В.
12.3. Полевой транзистор КП 302 В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания ЕПИТ = 15 В, напряжение затвор-исток UЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки RH = 600 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.
13.3. По вольт- амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком определите систему Y— параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: Ток затвора считать равным нулю.
14.3. Полевый транзистор с управляющим p—n переходом ток стока Ic max = =1 мА напряжение отсечки Uотс = 8 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе при обратном напряжении смещения затвор- исток равном Uзи = 2 В и чему равна крутизна в этом случае.
15.3. Объясните почему с увеличением температуры электронно-дырочного перехода возрастает контактная разность потенциалов.
16.3. Объясните почему с увеличением температуры биполярного транзистора возрастает коэффициент передачи тока эмиттера.
17.3. Объясните почему с уменьшением напряжения затвор-исток в полевом транзисторе с p—n-затвором и каналом n-типа наблюдается уменьшение напряжения насыщения.
18.3. Объясните почему МДП транзисторы с индуцированным каналом р-типа не используются при положительных значениях напряжения затвор-исток.
